Elpida passe au 50nm sur la DDR3, songe au mariage

Elpida vient d'annoncer avoir complété le développement de son process 50 nm. Ce process gravera des puces de DDR3. Le procédé de lithographie par immersion est exploité, de même que les interconnexions en cuivre déjà utilisées pour les premières puces 2.5 Gbps du fabricant. Ces nouvelles puces ont une dimension inférieure à 40 mm² et consomment nettement moins que celles gravées en 70 nm.

Au final, cela donnera des vitesses allant de 800 Mbps à 2500 Mbps avec des tensions de 1.2v, 1.35v ou 1.5v. Elles iront donc aussi bien dans les desktops haut de gamme (où la vitesse prime) que dans les ordinateurs portables (où la consommation prime). La production en masse des petites dernières devrait débuter dans le courant du premier trimestre 2009.

En actualité liée, le fabricant japonais songerait à fusionner avec le taïwanais ProMOS. L'état précaire des fondeurs taïwanais continue d'empirer, et une des solutions envisagées serait des fusions / rachats. Le gouvernement taïwanais soutient l'implication du japonais Elpida dans le secteur, l'objectif étant de renforcer les fabricants taïwanais face aux coréens, notamment Samsung, le leader actuel du marché. Reste que rien n'est fait pour l'instant, et qu'au-delà des considérations internes aux deux compagnies, d'autres complications sont à prévoir, le coréen Hynix détenant 8 % de ProMOS.