520 Go sur un disque 1,8'' ?
Sébastien Laurichesse | 02/10/2008 | 09:12:23
TDK vient de présenter le nouveau record en matière de densité : 803 Gb/pouce² ! A titre de comparaison Toshiba plafonne actuellement à 379 Gb/pouce². Pour arriver à cet impressionnant prototype, TDK combine une tête TMR à un disque DTR.
Le DTR (Discrete track recording) est déjà la technologie qui a permis à Toshiba d'établir son record. Plus efficace que l'enregistrement perpendiculaire classique, elle implique de séparer chaque piste par un "sillon" qui permet d'atténuer les interférences entre pistes et donc de les rapprocher. Son gain réel est encore sujet à débat mais une augmentation moyenne de 50% est la valeur la plus communément admise.
Ce qui fait par contre la différence sur le prototype de TDK est bien sûr sa tête de lecture. Elle utilise la magnétorésistance à effet tunnel (TMR) et se compose de deux couches conductrices séparées par une fine couche d'oxyde de Magnésium. Cette technologie a déjà été utilisée mais elle atteint ici un record de finesse. Ce n'est qu'en 2001 que des chercheurs avancèrent la possibilité d'utiliser l'oxyde de Magnésium à la place du Germanium et il fallut attendre 2004 pour voir les premiers prototypes à température ambiante.
Cette technologie a par contre l'inconvénient de voir sa résistance augmenter à mesure qu'on diminue la taille. Le problème est conséquent mais TDK a fait un grand pas en avant et ne s'arrête pas là puisqu'ils estiment pouvoir atteindre 1 Tbit/pouce² à terme.
Le DTR (Discrete track recording) est déjà la technologie qui a permis à Toshiba d'établir son record. Plus efficace que l'enregistrement perpendiculaire classique, elle implique de séparer chaque piste par un "sillon" qui permet d'atténuer les interférences entre pistes et donc de les rapprocher. Son gain réel est encore sujet à débat mais une augmentation moyenne de 50% est la valeur la plus communément admise.
Ce qui fait par contre la différence sur le prototype de TDK est bien sûr sa tête de lecture. Elle utilise la magnétorésistance à effet tunnel (TMR) et se compose de deux couches conductrices séparées par une fine couche d'oxyde de Magnésium. Cette technologie a déjà été utilisée mais elle atteint ici un record de finesse. Ce n'est qu'en 2001 que des chercheurs avancèrent la possibilité d'utiliser l'oxyde de Magnésium à la place du Germanium et il fallut attendre 2004 pour voir les premiers prototypes à température ambiante.
Cette technologie a par contre l'inconvénient de voir sa résistance augmenter à mesure qu'on diminue la taille. Le problème est conséquent mais TDK a fait un grand pas en avant et ne s'arrête pas là puisqu'ils estiment pouvoir atteindre 1 Tbit/pouce² à terme.
Source : TechOn
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