Intel : mémoire flash NOR en 65nm

Le fondeur Intel prévoit de produire ses premières puces de mémoire flash NOR gravées en 65 nm dès l'année prochaine. Cette finesse de gravure permettra bien évidemment de réduire les coûts de production avec un nombre plus important de puces par wafers mais également d'augmenter la densité des puces afin d'offrir plus d'espace de stockage.

Pour rappel, la mémoire flash NOR est différente de la mémoire flash Nand utilisée dans la plupart des périphériques à base de mémoire flash (clé USB, baladeurs, etc.). La NOR offre une vitesse de lecture deux fois plus rapide que celle de la NAND mais, en contrepartie, sa vitesse d'écriture et d'effacement est beaucoup plus lente. De plus, elle est vendue plus chère que sa concurrente. Actuellement, la mémoire flash NOR est principalement destinée au stockage du système d'exploitation dans des appareils mobiles.